在相同的沉積條件下，由于放電方式的不同，阻隔性也不同。 從圖中可以看出，在連續(xù)放電條件下，當(dāng)O2 比例為50%時(shí)阻隔性提高近2.5 倍。在脈沖條件下，阻隔性提高的最大值出現(xiàn)在O2 比例為25%時(shí)，可達(dá)到2 倍。在O2 比例為25%、75%、90%時(shí)，脈沖條件下的阻隔性提高都高于連續(xù)條件下的，但阻隔性最大值出現(xiàn)在連續(xù)條件下。

②PDPs 制備氧化硅沉積時(shí)間的影響

以HMDSO 放電時(shí)間分別為10s，30s 和90s 所制備的薄膜阻隔性能。隨著放電時(shí)間的延長(zhǎng)，SiOx 薄膜的阻隔性能先降低后升高，在放電時(shí)間為30s 時(shí)透氧率和透濕率最低，阻隔性能最好。其原因?yàn)椴煌�的放電時(shí)間對(duì)應(yīng)于沉積的SiOx 薄膜厚度不同，SiOx 薄膜阻隔性能受厚度的影響較大。厚度超過(guò)臨界厚度時(shí)，SiOx 薄膜阻隔性能隨著脆性的增加而降低。這與John Madocks 的結(jié)果一致。

總氣壓的影響

在放電時(shí)總氣壓為2.5 Pa 時(shí)沉積的SiOx 薄膜透氧性能比1.5Pa 好。原因是因?yàn)樵跉鈮狠^高時(shí)，將有更多的單體粒子被電離，即單位時(shí)間內(nèi)有大量的電離微粒沉積在PET 底基上，使得薄膜表面缺陷尺寸減小，膜層更加均勻。但另一方面，不管氣壓是1.5Pa 還是2.5Pa，其對(duì)應(yīng)樣品的OTR最小值都在10 秒所沉積的薄膜厚度。

功率的影響

當(dāng)電壓從1100V 開(kāi)始升高直到1400V 為止，沉積SiOx 薄膜的OTR 從27.7 cc／m2／dav 降低到1.12cc／m2／day，且為近線性降低。分析為當(dāng)單體和氧氣的氣壓和比例恒定不變時(shí)，電壓升高將會(huì)使更多的混合氣體電離。同時(shí)電壓的升高使得等離子體中粒子的能量增大、電子溫度升高、密度增加，沉積在PET 薄膜表面的阻隔層將會(huì)更致密，對(duì)基材的附著力增加，產(chǎn)生的缺陷密度也就越低，從而提高了其阻隔性能。

③薄膜的表面形貌分析

PECVD 沉積的SiO2 的工藝參數(shù)為：功率200W，時(shí)間30min，氣壓20Pa，單體／氧氣氣壓比為1／1。SEM 顯示，聚合膜均呈現(xiàn)均勻的密堆積狀態(tài)，SiO2 以團(tuán)聚粒子的形式聚合成膜，其粒徑在幾十納米左右，即微觀結(jié)構(gòu)顯示由緊密粒子堆積而成。

通過(guò)比較發(fā)現(xiàn)，用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)制備的SiOx 薄膜表面有很多的較大的顆粒，摻雜在SiOx 中，而用PDPs 制備SiOx 薄膜表面平整。阻隔性測(cè)量表明，用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備的SiOx 薄膜，存在對(duì)氧氣和水的阻隔性較差，其透氧和透濕率較高。而用PDPs 制備SiOx 薄膜由于其表面缺陷較少，透氧率和透濕率明顯降低，阻隔性能大大提高。

結(jié)論

用PECVD 和PDPs 兩種方式沉積SiOx 阻隔薄膜，通過(guò)FTIR 和XPS 分析表明沉積的薄膜中化學(xué)成分主要為含有Si－O 鍵，PDPs 薄膜表面較為平整均勻，沒(méi)有其他基團(tuán)顆粒存在。透濕率和透氧率測(cè)量發(fā)現(xiàn)，PDPs 沉積SiOx 薄膜具有更優(yōu)良的阻隔性能，沉積速度也較快。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)不同的等離子體源制備氧化硅薄膜的最佳工藝不同。對(duì)PECVD 制備的氧化硅薄膜，當(dāng)功率是200w時(shí)單體和氧氣的比例是1：1 時(shí)薄膜的阻隔性較好；而PDPs 制備氧化硅薄膜時(shí)，單體和氧氣的比例為2：1。